R
X
G
l
 Página:
1 .. 88 9 1010 11 1212 13 1414 .. 31  
r

Página principal

mn

SCR's

sc

Diodos

di

Transistores

it

Circuitos integrados

ic

SMD Marking Codes

smd

Búsqueda por parámetro

L
R

BUP300


SI N-IGBT transistor
UCE 1200V
UGE ±20V
IC 3.5A
Ptot 50W
fT -
TJ 150°C
el BUP300 es un transistor de silicio N-IGBT, Uce = 1.2kV, Ic = 3.5A, d´application: propósito general
Foto: -
Fuente: SH SIPMOS Halbleiter 1993...... [más]
SH SIPMOS Halbleiter 1993/94
Información avanzada para BUP300
OEM:Siemens AG
Paquete: TO-218AA
Hoja de datos (jpg):disponible
Hoja de datos (pdf):-
OEM Hoja de datos:-
Tipo complementario:-
Lista de tipos similares: ↑GT8Q101
Búsqueda de tipo similar:-
buscar una parte:buscar

BUP300


SI N-IGBT transistor
UCE 1200V
UGE ±20V
IC 3.5A
Ptot 50W
fT -
TJ 150°C
el BUP300 es un transistor de silicio N-IGBT, Uce = 1.2kV, Ic = 3.5A, d´application: propósito general
Foto: -
Fuente: SH SIPMOS Halbleiter 1993...... [más]
SH SIPMOS Halbleiter 1993/94
Información avanzada para BUP300
OEM:Siemens AG
Paquete: TO-218AA
Hoja de datos (jpg):disponible
Hoja de datos (pdf):-
OEM Hoja de datos:-
Tipo complementario:-
Lista de tipos similares: ↑GT8Q101
Búsqueda de tipo similar:-
buscar una parte:buscar

BUP300


SI N-IGBT transistor
UCE 1200V
UGE ±20V
IC 3.5A
Ptot 50W
fT -
TJ 150°C
el BUP300 es un transistor de silicio N-IGBT, Uce = 1.2kV, Ic = 3.5A, d´application: propósito general
Foto: -
Fuente: SH SIPMOS Halbleiter 1993...... [más]
SH SIPMOS Halbleiter 1993/94
Información avanzada para BUP300
OEM:Siemens AG
Paquete: TO-218AA
Hoja de datos (jpg):disponible
Hoja de datos (pdf):-
OEM Hoja de datos:-
Tipo complementario:-
Lista de tipos similares: ↑GT8Q101
Búsqueda de tipo similar:-
buscar una parte:buscar
Nota:un tipo similar no siempre es un tipo de reemplazo, por favor revise los requisitos de la aplicación cuidados. antes se utiliza para reemplazo

GT8Q101


SI N-IGBT transistor
similar to BUP300, see note
UCE 1200V
UGE ±20V
IC DC/AC 8/16A
Ptot 100W
TON/TOFF 400/800nS
TJ 150°C
el GT8Q101 es un transistor de silicio N-IGBT, Uce = 1.2kV, Ic = 8A, d´application: controlador de motor, conmutador de potencia
Foto: -
Fuente: Toshiba IGBT Databook 199...... [más]
Toshiba IGBT Databook 1995/96
Tipo similar: GT8Q101
OEM:Toshiba Toky... [más]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Paquete:2-16C1C
Hoja de datos (jpg):disponible
Hoja de datos (pdf):disponible
OEM Hoja de datos:-
Tipo complementario:-
Lista de tipos similares: ↑-
Búsqueda de tipo similar:-
buscar una parte:buscar

GT8Q101


SI N-IGBT transistor
similar to BUP300, see note
UCE 1200V
UGE ±20V
IC DC/AC 8/16A
Ptot 100W
TON/TOFF 400/800nS
TJ 150°C
el GT8Q101 es un transistor de silicio N-IGBT, Uce = 1.2kV, Ic = 8A, d´application: controlador de motor, conmutador de potencia
Foto: -
Fuente: Toshiba IGBT Databook 199...... [más]
Toshiba IGBT Databook 1995/96
Tipo similar: GT8Q101
OEM:Toshiba Toky... [más]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Paquete:2-16C1C
Hoja de datos (jpg):disponible
Hoja de datos (pdf):disponible
OEM Hoja de datos:-
Tipo complementario:-
Lista de tipos similares: ↑-
Búsqueda de tipo similar:-
buscar una parte:buscar

GT8Q101


SI N-IGBT transistor
similar to BUP300, see note
UCE 1200V
UGE ±20V
IC DC/AC 8/16A
Ptot 100W
TON/TOFF 400/800nS
TJ 150°C
el GT8Q101 es un transistor de silicio N-IGBT, Uce = 1.2kV, Ic = 8A, d´application: controlador de motor, conmutador de potencia
Foto: -
Fuente: Toshiba IGBT Databook 199...... [más]
Toshiba IGBT Databook 1995/96
Tipo similar: GT8Q101
OEM:Toshiba Toky... [más]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Paquete:2-16C1C
Hoja de datos (jpg):disponible
Hoja de datos (pdf):disponible
OEM Hoja de datos:-
Tipo complementario:-
Lista de tipos similares: ↑-
Búsqueda de tipo similar:-
buscar una parte:buscar
Nota:un tipo similar no siempre es un tipo de reemplazo, por favor revise los requisitos de la aplicación cuidados. antes se utiliza para reemplazo
impressum
Información proporcionada sin garantía
política de privacidad